Fabricación de transistores de efecto campo con nanopuntos

Por Pedro Feijoó

En un artículo publicado por Japanese Journal of Applied Physics, Yijan Chen propone un método de fabricación de transistores de efecto campo mediante nanopuntos. Lo novedoso de este artículo es que tiene en cuenta la aleatoriedad del tamaño y de la posición de estas nanoestructuras en su proceso de fabricación.

En la figura está representado un transistor de efecto campo basado en nanopuntos. En él, dos capas de material (fuente y drenador) están conectadas mediante numerosos nanopuntos de material semiconductor. Los nanopuntos sólo conducen la electricidad cuando el material que los rodea (la puerta) está a un potencial que cumple una determinada condición. En la figura se puede observar que los nanopuntos más pequeños no llegan a conectar la fuente y el drenador. Sin embargo, se supone que en cada transistor hay tantos nanopuntos como para asegurar estadísticamente una conexión suficiente.

El material propuesto para realizar el transistor es silicio. Para un transistor tipo n, la fuente y el drenador son capas de silicio muy dopado tipo n y los nanopuntos, silicio dopado tipo p, que cumplen la función de canal. La puerta, que rodea a los nanopuntos, puede ser un metal o poli-silicio muy dopado. La puerta debe estar separada por un dieléctrico del canal, de la fuente y del drenador. En este caso, el dieléctrico más adecuado es el óxido de silicio.

Para fabricar el dispositivo deben darse una serie de pasos detallados en el artículo. En un principio, hay que crecer nanopuntos de silicio sobre una superficie de silicio muy dopado mediante algún método efectivo y fiable. Se pueden usar métodos como el auto ensamblaje o la implantación por haz de iones. Esta parte del proceso es la que más hay que desarrollar. Tras ello, hay que utilizar métodos típicos de la fabricación de los dispositivos de la nanoelectrónica actual que se han desarrollado en las últimas décadas, como son la deposición química de vapor (CVD), el pulido mecánico químico (CMP) y el ataque químico (etching).

Para el cálculo de parámetros importantes del transistor, como el área activa, se supone que el área total del transistor encierra un número muy grande de nanopuntos, cuyos tamaños siguen una determinada distribución de probabilidad. Por tanto, se pueden hallar valores esperables de las características del transistor a través de esta distribución de probabilidad determinada experimentalmente y que dependerá del proceso de fabricación de estas nanoestructuras.

Por otro lado, el autor del artículo desarrolla un modelo de la física del dispositivo. Resuelve la ecuación de Poisson en el interior de los nanopuntos consiguiendo una solución general analítica. La condición de contorno necesaria es que el potencial en el radio exterior del nanopunto es el potencial de la puerta.

Fuente:http://blogs.creamoselfuturo.com/nano-tecnologia/2008/04/25/fabricacion-de-transistores-de-efecto-campo-con-nanopuntos/
Ver blogger original: http://nubia-anc.blogspot.com/

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