Fabricación de JFET

Fabricación de JFET

   Un FET de canal n se fabrica por el proceso de elaboración de un bipolar. La capa epitaxial que constituía el colector del BJT ahora se convierte en el canal n del JFET. Como se ve en la figura 4.3 las islas aisladas se difunden en la capa epitaxial n para separar los dispositivos individuales. La región de puerta p+ es implantada ó difundida en el canal n y se crece una tenue capa de oxido. Luego se recubre toda la oblea con SiO2. El enmascarado y corrosión definen las superficies de contacto para los terminales. Las regiones n+ se implantan debajo de las regiones de los contactos de drenaje y de fuente para tener unos buenos contactos óhmicos. Seguidamente se recubre el todo con una capa de aluminio y con una ultima mascara se perfilan las interconexiones deseadas. El proceso se completa eliminando por corrosión el aluminio en exceso.

Figura Nº 4.3 Fabricación y Estructura del Transistor de Unión de Efecto de Campo

Descripción de la forma de fabricación del JFET con tecnología planar.
   Sobre un sustrato de semiconductor tipo p se hace la máscara fotolítica correspondiente de manera de dejar expuesta sólo la parte a eliminar. Luego se inyecta el ácido que corroe la zona de interés. Se lava el ácido y se deposita el material tipo n para hacer el canal. Se tapa la zona del canal con material fotolítico y se procede a quitar el material n sobrante. Se tapa la zona donde no se quiere dopar en exceso con impurezas pentavalentes y luego se satura el ambiente con la impureza correspondiente con temperatura y tiempo controlados para regular la profundidad de la difusión.
   Luego se hace lo propio con el material de dopado trivalente (tipo p), se orada, se agrega por evaporación del silicio dopado con impurezas tipo p y si hace falta se agregan impurezas.
   Luego de quitar el material fotolítico, se hace la máscara adecuada para depositar
el aluminio que formará los contactos.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL FET
         Las ventajas del FET se pueden resumir como sigue:
1.  Son dispositivos sensibles a la tensión con alta independencia. Como esta independencia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada a un amplificador multietapa.
2.  Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3.  Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4.  Los FET son , en general, más fáciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado ( es decir, se puede obtener una densidad de empaque mayor ).
5.  Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje a fuente.
6.  La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7.  Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor  y conmutar corrientes grandes.

         Existen varias desventajas que limitan la utilización de los FET en algunas aplicaciones:
1.  Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
2.  Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3.  Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.

Fuente:
http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelectronica/04-Fabricacion%20del%20FET.pdf
http://www.alipso.com/monografias/transistores_efecto_de_campo/
Asignatura: EES
Nombre: María José Nieto Cárdenas

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