Nuevo MOSFET de potencia para aplicaciones de conmutación en automoción

STMicroelectronics, líder mundial en semiconductores, ha anunciado un nuevo MOSFET de potencia de elevada corriente que, diseñado específicamente para el mercado de automoción, se beneficia de la última optimización de la tecnología STripFET de la compañía para lograr una resistencia muy baja. El modelo STD95N04 es un dispositivo DPAK de 40 V con una Rds(on) máxima de 6.5 mΩ.
El nuevo dispositivo de 80 A se ha diseñado para aplicaciones de convertidores DC-DC, control de motores, drivers de solenoide y sistemas ABS. El STD95N04 es extremadamente competitivo en precio y rendimiento de resistencia-ON con respecto a otros productos convencionales fabricados con tecnología ˜trench™. La Rds(on) típica se sitúa en los 5 mΩ y mantiene el requerimiento de drive de límite estándar.
El STD95N04 es compatible con la calificación AEC Q101 Stress Test para semiconductores discretos, el estándar establecido por el Comité Técnico del AEC (Consejo de Electrónica de Automoción) para componentes empleados en este entorno de la automoción.
La nueva tecnología ST STripFET se basa en una mayor densidad de celda, logrando una reducción en la resistencia-on y en las pérdidas y usando menos área de silicio. Otros MOSFET de potencia en proceso de desarrollo emplearán esta misma tecnología para responder a los requerimientos DPAK (30 V, nivel lógico, 4.5 mΩ a 4.5 V) y DPAK2 (40 V, nivel estándar, 2mΩ a 10 V).
El STD95N04 se encuentra disponible en encapsulados DPAK y TO-220.

YOSEPH BUITRAGO C.I. 18257871 EES SECCION 2