Diferencias entre el JFET y el BJT

TRANSISTORES FET
Diferencias entre el JFET y el BJT

BJT

• 
  
  Controlado por corriente de base.
• Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
• IC es una función de IB.
• ß (beta factor de amplificación)
• Altas ganancias de corriente y voltaje.
• Relación lineal entre Ib e Ic.

JFET

• Controlado por tensión entre puerta y fuente.
• Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó electrones (canal n).
• ID es una función de Vgs.
• gm (factor de transconductancia).
• Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
• Relación cuadrática entre Vgs e Id.

Ventajas del FET con respecto al BJT

• Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)MΩ.
• Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
• Son más estables con la temperatura que los BJT.
• Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI.
• Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
• La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
• Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas de los FET

• Los FET´s presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
• Los FET´s presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
• Los FET´s se pueden dañar debido a la electricidad estática.

APLICACIÓN, PRINCIPAL VENTAJA Y USOS

Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de salida baja, uso general, equipo de medida, receptores.
Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones.
Mezclador, baja distorsión de intermodulación, receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones.
Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia receptores, generadores de señales.
Amplificador cascodo, baja capacidad de entrada, instrumentos de medición, equipos de prueba.
Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores operacionales, control de tono en órganos.
Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequeña de acoplamiento, audífonos para sordera, transductores inductivos.
Oscilador, mínima variación de frecuencia, generadores de frecuencia patrón, receptores.
Circuito MOS digital, pequeño tamaño, integración en gran escala, computadores, memorias.

Nombre:Nubia Navarro
Asignatura:EES
Fuente:http://74.125.113.132/search?q=cache:sth7B8PEle8J:mt2435.googlepages.com/transistoresfet.pdf+jfet+aplicaciones&cd=40&hl=es&ct=clnk&gl=ve

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