Los HEMT son Transistores tipo FET, en que se reemplaza el canal de conducción por una juntura en la que se unen dos materiales semiconductores con diferentes brechas entre las bandas de conducción y de valencia, lo que produce una capa muy delgada en la cual el nivel de Fermi esta un poco por sobre la banda de conducción, por otro lado los portadores quedan confinados a una capa tan angosta que se los puede describir como un gas de electrones de dos dimensiones. Por estas dos razones los portadores de carga adquieren una muy alta movilidad y una alta velocidad de saturación, habilitándolos para reaccionar a campos que varían a muy altas frecuencias, como también reduce muy significativamente el efecto de dispersión que los átomos de dopaje producen sobre los portadores de carga rediciendo en gran medida el ruido que este dispositivo emite.
Normalmente los dos materiales semiconductores tiene la misma estructura cristalina permitiendo un adecuado calce entre estas, esto con el objeto de evitar que los portadores queden atrapados en las discontinuidades que se podrían producir. Reduciendo su rendimiento.
Existe un tipo de HEMT en los cuales esto no se cumple, los pseudomorphic HEMT (PHEMT), en ellos se pone una capa extremadamente delgada de de unos de los materiales, tanto que esta se deforma para calzar con el otro material. Con esto se logran brechas de energía mucho más altas permitiendo un mejor rendimiento del transistor.
Otra forma de lograr lo anterior es la inserción de una capa muy delgada de adaptación entre los dos materiales de forma que esta se la encargada de unir las dos estructuras cristalinas, esto presenta una ventaje cuando la capa de adaptaciones esta construida con AlInAs, en este material la concentración de In es graduada de forma de calzar las estructuras cristalinas, entonces se tiene que una alta concentración de In produce alta ganancia y una baja concentración produce bajo ruido.
Márquez M. Wiston J.
CI. 16745566.
Asignatura: CAF.
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